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SGT N80-85V Power MOSFET
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 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 揚(yáng)杰科技最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET，采用SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，具有傳統(tǒng)Trench MOSFET低導(dǎo)通損耗的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具有更低的開(kāi)關(guān)損耗。 SGT MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)車(chē)BMS、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及其他電源管理系統(tǒng)，是其核心的功率控制部件。 除傳統(tǒng)TO系列封裝外，采用Copper Clip封裝工藝的DFN5060產(chǎn)品也即將推出。 揚(yáng)杰科技目前已推出N40V,N60V,N80-85V,N85V,N100V,N120V多個(gè)電壓平臺(tái)的系列化解決方案,供客戶根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、采用SGT工藝，極低的Rdson和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，帶來(lái)更低的FOM，減小系統(tǒng)損耗。
2、和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化，設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)時(shí)有更多選擇。
3、針對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用中的各種異常工作狀態(tài)，優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性，提高系統(tǒng)可靠性。
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YJP120G08A YJP118G08H YJG100G08E YJG100G08A YJD110G08A YJB120G08A YJB118G08H

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